Darren

17-04 集成运放简介 在半导体制造工艺的基础上，将整个电路中的元器件及电路制作在一块硅基片上，构成特定功能的电子电路，称为集成电路 集成电路分类： 信号角度 数字型 模拟型 混合信号型 功能角度：集成运算放大器，集成功率放大器，集成高频放大器;集成中频放大器，集成比较器，集成乘法器，集成稳压器，集成数/模和模/数转换器等 集成运算放大电路的特点 增益高、输入电阻大、输出电阻小，抑制温漂能力强 直接耦合方式; 充分利用管子性能良好的一致性采用差分放大电路和电流源电路 用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路的复杂化并不带来工艺的复杂性 用有源元件替代无源元件，如用常用有源器件代替电阻 采用复合管。 集成运算放大电路实质是一个具有高放大倍数的多级直接耦合放大电路 集成运算的基本组成 输入级需求和特点 高输入阻抗 低的零点漂移 高共模抑制比 高差模放大倍数 低静态电流 一般由带恒流源的差分放大器组成 中间级： 特点：有足够的放大能力 整个电路的主放大器电路的调理，一般由一级到多级直接耦合放大器组成 输出级： 特点： 输出电阻小 电压 ...

大驼峰法(帕斯卡命名法)：所有单词首字母大写 123int MyAge;char MyName[10];float ManHeight; 小驼峰法：除第一个单词之外，其他单词首字母大写 123int myAge;char myName[10];float manHeight; 匈牙利命名法：变量名=属性+类型+对象描述 123hwnd ： h 是类型描述，表示句柄， wnd 是变量对象描述，表示窗口，所以 hwnd 表示窗口句柄；pfnEatApple ： pfn 是类型描述，表示指向函数的指针， EatApple 是变量对象描述，所以它表示指向 EatApple 函数的函数指针变量。g_cch ： g_ 是属性描述，表示全局变量，c 和 ch 分别是计数类型和字符类型，一起表示变量类型，这里忽略了对象描述，所以它表示一个对字符进行计数的全局变量。 属性部分： 1234g_ 全局变量c_ 　常量m_ 　c++类成员变量s_ 　静态变量 类型部分： 12345678910111213141516171819数组 a指针　p函数　fn无效　v句柄　h长整型　l布尔　b浮点型（有 ...

C中的命名空间：在C语言中只有一个全局作用域，C语言中所有的全局标识符共享同一个作用域，标识符之间可能发生冲突 ； C++ 中提出了命名空间的概念：命名空间将全局作用域分成不同的部分，不同命名空间中的标识符可以同名而不会发生冲突，命名空间可以相互嵌套，全局作用域也叫默认命名空间； C++ 命名空间的定义： 1namespace name { … } C++ 命名空间的使用： 使用整个命名空间：using namespace name; 使用命名空间中的变量：using name::variable; 使用默认命名空间中的变量：::variable，默认情况下可以直接使用默认命名空间中的所有标识符 C语言中无法取得register变量地址，在C++ 中依然支持register关键字，C++ 编译器有自己的优化方式，不使用register也可能做优化，C++ 中可以取得register变量的地址，C++ 编译器发现程序中需要取register变量的地址时，register对变量的声明变得无效； C语言的struct定义 ...

00-01 绪论 为什么要学模电？学什么？怎么学？ 电子技术是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术 00-02 基本概念 电子系统处理信号，信号是信息的载体 模拟信号和数字信号的概念 通过A/D和D/A将模拟和数字信号进行转换 01-01 本征半导体 半导体材料：锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物 半导体的导电特性：热敏性、光敏性、掺杂性 本征半导体的概念 本征激发和复合的概念 自由电子和空穴成为载流子 01-02 杂质半导体 掺入三价或者五价元素 掺入五价元素，如磷原子 N型半导体/电子半导体 掺入三价元素，如硼原子 P型半导体/空穴半导体 多子和少子的概念 在杂志半导体中，多子的浓度主要取决于掺杂浓度（本征激发），少子的浓度与温度有较大关系 在杂质半导体中，少子数目比未掺杂的数目减少了 杂质半导体呈电中性，本身不带电 在杂质半导体中，温度变化，载流子数目变化，多子和少子数目变化相同，浓度变化不同，少子浓度变化大 01-03 PN结 空间电荷区的概念及形成（耗尽层，势垒区） 内电场的概念，内电场阻碍多子运动，少子在内电场的作用下运动，称为漂移运 ...

在使用C/C++编程的时候，我们通常使用.h和.cpp的方式来书写我们的代码，可这存在一个问题：当我们需要将写好的功能分享给别人时候的时候，如果同时把.h和.cpp交给别人势必会造成我们的代码泄漏，静态库和动态库很好地解决了这个问题，即：可以将写好的功能分享给他人，又可以将关键部分代码隐藏。 静态库 Win 生成静态库 在VS中创建Win32项目； 选择“静态库”项目，取消勾选“预编译头”； 修改项目属性，在C/C+±>代码生成->运行库设置成MTd； 写完代码编译； 在项目文件夹中找到.h和.lib文件，使用时用这两个文件就行； 使用静态库 将.h和.lib文件复制到使用的项目文件夹中； 项目中将.h文件添加进来； 头文件包含.h文件并在代码中添加 1#pragma comment(lib,"xxx.lib")//文件名.lib Linux 生成静态库 编译生成.o文件 1gcc -o xxx.o xxx.c 将.o文件打包 1ar rcs libxxx.a 文件1.o 文件2.o ... 使用静态库 ...

新建文本文件； 编辑文本内容: 123456@echo off　　pushd "%~dp0"　　dir /b %systemroot%\Windows\servicing\Packages\Microsoft-Windows-GroupPolicy-ClientExtensions-Package~3*.mum >gp.txt　　dir /b %systemroot%\servicing\Packages\Microsoft-Windows-GroupPolicy-ClientTools-Package~3*.mum >>gp.txt　　for /f %%i in ('findstr /i . gp.txt 2^>nul') do dism /online /norestart /add-package:"%systemroot%\servicing\Packages\%%i"　　pause 3.另存为gpedit.bat ； 4.以管理员身份运行，等待完成。

B/S模型：浏览器/服务器模型； C/S模型：客户端/服务器模型； 冒泡排序第一种写法： 123456789101112131415161718192021222324252627282930313233343536373839404142434445464748495051525354555657585960616263646566676869//全部在主函数里的形式#include <stdio.h>#include <stdlib.h>int main(){ int a[] = { 6,4,8,9,4,7 }; int i = 0; int j = 1; int tmp = 0; int len = sizeof(a) / sizeof(int); for (i = 0; i < len-1; i++) { for (j = 0; j < len-1-i; j++) { if (a[j] < a[j+1]) { tmp = a[j]; a[j] ...

TTL与CMOS电平是集成电路常用的电平，应用时需要根据电平规范进行匹配与转换。 电平规范 1、名称解释 UohU_{oh}Uoh​ -> 输出高电平，UolU_{ol}Uol​ -> 输出低电平； UihU_{ih}Uih​ -> 输入高电平，UilU_{il}Uil​ -> 输入低电平。 TTL电平 TTL集成电路主要由BJT晶体管构成，如STC单片机，电平规范如下： 输出模式：UohU_{oh}Uoh​ ≥ 2.4V，UolU_{ol}Uol​ ≤0.4V； 输入模式: UihU_{ih}Uih​ ≥ 2.0V，UilU_{il}Uil​≤0.8V； CMOS电平 CMOS集成电路主要由MOS管构成，如STM32单片机，电平规范如下： 输出模式：UohU_{oh}Uoh​ ≈ VCC，UolU_{ol}Uol​≈GND； 输入模式: UihU_{ih}Uih​ ≥ 0.7 * VCC，UilU_{il}Uil​≤0.2 * VCC； 应用说明 1、3.3V/5V TTL 驱动 3.3V CMOS 可以直接驱动。 2、3.3V/5V TTL 驱动 ...

常用二极管种类 常规设计中，用的比较多的二极管有普通二极管、肖特基二极管、稳压管与TVS管；此外，还有快恢复二极管、超快恢复二极管、发光二极管、红外二极管等。 普通二极管 特点:单向导通； 优点:反向漏电流超低，反向击穿电压较高，价格便宜； 缺点:正向压降较大； 应用:以BAS316为例，正向压降为0.855V/10mA;反向漏电流为30nA/25V，反向击穿电压为85V。如下图:应用于DCDC降压芯片MP2451的外部自举二极管，在占空比超过80%时，提高转换器的效率。 肖特基二极管 特点:单向导通； 优点:正向压降较低，反向恢复时间较快； 缺点:反向漏电流较大，反向击穿电压较低 应用:以DSK14为例，正向压降0.1V至0.55V(电流越大，正向压降越大)，反向击穿电压40V，0.5mA/25℃(温度越高，漏电流越大)。如下图:应用于DCDC降压芯片MP2451的功率环路的续流二极管(要求压降小、开关速度快、反向击穿电压大于电源输入电压)。 稳压管 特点:反向击穿稳压； 优点:体积小，价格便宜； 缺点:带载能力弱，通常需要电阻限流； 应用:以LM3Z7V5T1G为例，稳压值 ...

电阻 选型依据 阻值:电阻值; 封装:常用封装0201,0402,0603,0805,1206,1812等； 功耗:1/16W,1/10W,1/8W,1/4W,1/2W,1W,2W,3W等； 精度:1%，5%等。 选型方法 优先考虑阻值，对于不常见的阻值，可以通过电阻的串联与并联代替； 计算功耗: P = I²R 或 U²/R， 根据功耗，合理选择封装，一般0402的最大功耗为1/16W,0603的最大功耗为1/10W,0805的最大功耗为1/8W,具体看电阻的选型手册。 考虑精度：作为反馈环路、分压的电阻，一般选择精度为1%的，其它的，选择精度为5%的即可； 考虑成本:精度1%的比精度5%的贵，封装不同，价格也有些差异，常用的封装，价格稍微便宜些； 考虑PCB尺寸：板子越小，封装尽量用小点的，比如手机一般用0201，迷你型产品，0402用的多， 一般的产品，0603居多； 考虑加工:尺寸越大，对加工工艺要求越低。0603与0402一般加工厂可以生产，这个主要跟加工厂的机器相关； 考虑维修：尺寸越小，焊接难度越大。 电容 选型依据 容值:电容值; 电容类型:陶瓷电容 ...